近年来,成上铁-氮配位体(FeN4)因其在酸性介质中具有良好的ORR活性而成为PEMFCs最有前途的非贵金属催化剂。网电(d)HP-FeN4前体在NH3气氛下热解不同时间的ORR催化活性。然而,千瓦目前吡咯氮配位FeN4结构的合成仍面临挑战,严重阻碍了FeN4催化剂的工业化应用。
时同(d)在ORR过程中中间体在吡咯型FeN4上的吸附构型。因此,比增用这种高纯度的FeN4催化剂制成的PEMFCs具有高的开路电压(1.01V)和大峰值功率密度(超过700mWcm-2)。
粤电9亿图3 HP-FeN4和FeN4的理论计算(a,b)计算了(a)吡咯型FeN4和(b)吡啶型FeN4的电荷密度差。
力A量(b)HRTEM和(c)HP-FeN4材料的HAADF-STEM图像。年完图3 HP-FeN4和FeN4的理论计算(a,b)计算了(a)吡咯型FeN4和(b)吡啶型FeN4的电荷密度差
▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端,成上以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。注:网电三星、网电高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟,LG总裁赵柱完(音译)也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示,当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。
司宏国对XR设备的前景表示看好:千瓦我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年,未来2-5年是持续增长期。此外,时同LG还表示当前正在开发智能眼镜。